ギターやベースなどのバッファーとして使える基板モジュールです。ケースに収めてエフェクターとして使うも良し、ボディーに内蔵してアクティブ回路化へ改造するのも良しです♪好評のあったもっとも簡単なFET1石バッファーの改良版になります。バイアス電位を考慮し、低歪みなバッファーへと改造しました。部品などにもこだわって、高音質を維持しつつ低コスト化が実現できました。

▼ YouTube動画で実演＆解説してます！
https://youtu.be/uWC5T3rnDM0

1. ショップからのお知らせ
　アラギ（新井技研）が運営するデジデジマーケットをご覧いただき誠にありがとうございます！
商品は丁寧に梱包し、できる限り迅速に発送手配いたします。送料は込みのお値段です。もしも在庫切れの場合はお知らせ頂ければ入荷の検討をいたします。欲しい商品に関するリクエスト、アイデアなどございましたらお気軽にご連絡ください。

2. 改良版！FET1石バッファーの特徴
回路図をもとに、工場で製造したPCB基板に部品をはんだ付け済みです。

1Vp-p以上の信号でも歪まないように、バイアス電位を考慮した設計を行いました。回路図のR5とR6がバイアス電位を作る仕事をしてます。

信号の通り道であるカップリングコンデンサC1とC2を性能の良いメタライズドポリプロピレンフィルムコンデンサで製作しました。出力段のカップリングコンデンサが少しでかいですが、電解コンデンサを使うより数倍性能は良好です。

FETに2SK303を使用しました。オペアンプで作るバッファーに比べ超低ノイズなのも特徴です。FET1石というシンプルな回路だからこそ実現できる技になります。
コストを抑えつつ、出来るだけ品質・音質の良い部品を選んでます。
基板サイズは約42mm x 27mmで、部品実装済みの高さが21mmほどになります。

3. 入力インピーダンス
　このバッファーの入力インピーダンスは500kΩです。R1とR2のそれぞれ1MΩを並列合成した値が、この回路の入力インピーダンスとなります。入力インピーダンスは500kΩまたは1.1MΩ、5MΩ、10MΩからお選びいただけます。ギターやベースからのハイインピーダンスなPU信号を受け取れるのはもちろん、バイアス電位を設けたことで出力の大きい歪み系エフェクターの後などにもご使用いただけます。ピエゾピックアップのバッファ・プリアンプとして使う場合は、5MΩをご検討ください。10Mの場合はR1を無しで、R2を10Mで対処させていただきます。

4. 出力インピーダンス
　出力インピーダンスは800Ω程度と考えてください。出力先に繋ぐ負荷は10kΩを推奨です。波形を確認する限りでは1.8kΩの負荷でも、少し音量は下がるものの実用上問題なさそうです。出力のカットオフ周波数は、10kΩ機材に繋ぐことを想定して fc=7.2Hz で設計しました。1kHz、2Vp-pの正弦波をこのバッファーへ入力し、出力に負荷抵抗10kΩを繋いでオシロスコープで観察した様子を写真で示します。9V電池で動かした場合で、4Vp-pくらいまでは歪みなく使えました。電源電圧を高くすれば、もっと高い電圧信号を扱えます。

5. 消費電流
　消費電流は2.3mA程度です。リチウムイオンの9V電池を500mAhとして計算すると、217時間ほど持つことになります。あくまでも理想ではありますが、オペアンプを使ったバッファー回路の消費電流が10mA以上と考えると、消費電流が少ないこともFET1石バッファーならではの利点といえます。